首页> 外国专利> Fabrication Method of a Mask for X-ray Lithography

Fabrication Method of a Mask for X-ray Lithography

机译:X射线光刻光刻胶的制作方法

摘要

X-ray mask manufacturing method according to the present invention is a first step of applying an absorbing layer on the membrane of the X-ray mask and forming a PR pattern on one surface of the absorbing layer, the second step of etching the absorbing layer according to the PR pattern, the etching of the absorbing layer And a fourth step of removing by-products accumulated in the portion and a fourth step of depositing a protective film on the sidewall of the absorber layer, wherein the second to fourth steps are repeated one or more times.
机译:根据本发明的X射线掩模的制造方法是在X射线掩模的膜上施加吸收层并在该吸收层的一个表面上形成PR图案的第一步,是蚀刻该吸收层的第二步。根据PR图案,对吸收层进行蚀刻,以及去除积聚在该部分中的副产物的第四步骤,以及在吸收层的侧壁上沉积保护膜的第四步骤,其中重复第二至第四步骤。一次或多次。

著录项

  • 公开/公告号KR100576459B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040013551

  • 发明设计人 이홍구;

    申请日2004-02-27

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:23:53

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号