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直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究

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室温下，用直流磁控反应溅射方法在Ｎ２／Ａｒ混合气体中淀积了ＡｌＮ薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘ＧａＡｓ单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应气体配比、直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响．为了得到适于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ钝化的薄膜，还对反应条件进行了优化．

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来源
《半导体学报》 |1999年第8期|644-649|共6页
作者
曹昕; 罗晋生; 陈堂胜; 陈克金;
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作者单位

西安交通大学微电子所;

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;TN304.051;
关键词
砷化镓; MESFET; 钝化膜; 直流磁控溅射;

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