a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

郭震宁; 黄永箴; 郭亨群; 李世忱; 王启明

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a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

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采用 PECVD技术在 P型硅衬底上制备了 a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜 ,利用 AES和 TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为 .结果表明 :a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜经退火处理形成 nc- Si/Si O2 多层量子点复合膜 ,膜层具有清晰完整的结构界面 .纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构 ,颗粒大小随退火温度升高而增大 .在一定的实验条件下 ,样品在 650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒 .

著录项

来源
《半导体学报》 |2000年第6期|576-579|共4页
作者
郭震宁; 黄永箴; 郭亨群; 李世忱; 王启明;
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作者单位

天津大学精密仪器与光电子工程学院;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;

华侨大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
退火; 微结构; 多层薄膜; 氧化硅;

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