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一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法

摘要

一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法,该方法采用电子束在真空中对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火。所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩模法制备的Mg/B多层膜,在秒数量级的退火时间内使前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成转变温度高于35K的二硼化镁超导薄膜微结构。

著录项

  • 公开/公告号CN103500793A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201310415603.3

  • 申请日2013-09-12

  • 分类号H01L39/24;

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2024-02-19 21:14:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L39/24 申请公布日:20140108 申请日:20130912

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L39/24 申请日:20130912

    实质审查的生效

  • 2014-01-08

    公开

    公开

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