预非晶化硅中注入硼的异常扩散

摘要

预非晶化硅中,在非晶区和损伤区之间有一重损伤层存在,其边缘清楚,厚度约为20nm,包含有大量的扩展缺陷。它阻挡了尾部损伤区内簇团分解放出的硅间隙原子向非晶区扩散,大大削弱了非晶区内注入硼的异常扩散。选用条件适当的二次硅离子注入,使重损伤层加重加厚,从而完全阻止了非晶层内硼的异常扩散。本文在实验上为重损伤层阻止非晶区内硼异常扩散的模型提供证明。