掺硼对非晶碳化硅膜的影响

摘要

试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速度，膜的组分，光学带隙，电导率，硬度和结合力的影响。结果证明，用等离子体分解（ＳｉＨ４和ＣＨ４）混合气体制备的α－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈ膜能有效的掺杂。硼掺杂可改变光学带隙，电导率和硬度。退火可增加薄膜的硬度和结合力。