GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算

杨悦非; 朱蔚雯; 王渭源

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GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算

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应用波函数展开方法,自洽计算了调制掺杂AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中电势能分布、子能级位置、2DEG浓度分布和2DEG面浓度n_s,以及这些参数与量子阱宽度、不掺杂AlGaAs厚度等材料参数的关系.计算表明,量子阱中2DEG n_s比单异质结n_s大2倍左右,量子阱宽度在200-300A之间n_s有个最大值;量子阱太宽时,2DEG主要集中在两边异质结界面附近,变为双异质结.

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来源
《半导体学报》 |1989年第5期|350-355|共6页
作者
杨悦非; 朱蔚雯; 王渭源;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
掺杂; 量子阱; 电子浓度; 砷化镓;

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