高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现

摘要

介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5bitGaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗31dB;两端口所有态的电压驻波比<1.5;所有态衰减精度<±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).