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邓宁; 王吉林; 黄文韬; 陈培毅; 李志坚;
清华大学微电子学研究所;
超高真空化学气相淀积; 多层锗量子点; PL谱;
机译:Si间隔层厚度对快速热化学气相沉积法生长多层Ge量子点光学性能的影响
机译:调整在INASStranski-Krastanov(SK)量子点(SK)量子点上生长的异构耦合INAS子组(SML)量子点(SML)量子点的结构和光学特性
机译:通过化学气相沉积生长具有不同间隔物厚度的堆叠式Ge / Si量子点的光学特性
机译:直接在Si基板上生长的GE自组装量子点的光学和结构特性以及应变松弛Si_(0.9)Ge_(0.1)缓冲层的光学和结构特征
机译:自组装量子点分子的生长,光谱学和量子光学。
机译:通过提高过度生长温度增强Si(001)衬底上多层Ge量子点的光致发光
机译:用于长波发射的InGaasN / Gaas量子阱和量子点结构的光学特性。
机译:生长Ge量子点的方法,Ge量子点复合材料及其应用
机译:使用具有相同能力以改善光学增益和温度特性的图案化应变层和量子点半导体器件制造量子点的方法
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