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f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)

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摘要

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.

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来源
《半导体学报》 |2008年第3期|414-417|共4页
作者
程伟; 金智; 刘新宇; 于进勇; 徐安怀; 齐鸣;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件;
关键词
InP; 异质结晶体管; 聚酰亚胺; 平坦化;

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