一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法，包括以下步骤：使用HSQ光刻胶在晶圆上进行旋涂然后完成电子束光刻；使用电感耦合等离子体刻蚀法进行垂直刻蚀；使用反应离子束刻蚀法刻蚀残留的HSQ光刻胶；沉积一层介质膜；使用热稳定负性光刻胶进行普通光刻曝光，完成器件隔离；使用BCB胶做平坦化处理；使用对电子敏感的ARP光刻胶再次进行电子束光刻曝光出P电极图型；使用电子束蒸镀系统蒸镀相应金属，然后进行光刻胶的剥离去除其他位置的金属；使用热稳定负性光刻胶对N台面进行光刻，曝光出N电极图形，电子束蒸镀系统蒸镀N台面上的金属，再使用丙酮完成剥离，完成器件制备。本发明提高了光电探测器成片的表面洁净度，同时兼顾台面刻蚀的质量。