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一种抗辐照SOI反相器

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制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”电平.实验证明,该反相器在经受6×105rad(Si)的辐照后,输出“高”电平仍然未下降.

著录项

来源
《半导体学报》 |2005年第9期|1829-1832|共4页
作者
赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤; 司红;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

钢铁研究总院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
辐照效应; 反相器; 输出高电平;

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