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乔明; 肖志强; 方健; 郑欣; 周贤达; 徐静; 何忠波; 段明伟; 张波; 李肇基;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
BCD工艺; 薄外延技术; 双RESURF; LDMOS;
机译:基于0.35 mu M BCD技术的高压驱动器应用的电荷泵设计
机译:基于0.35um BCD工艺技术的低导通耐压(120V)新型3D侧隔离NLDMOS设计
机译:薄体SOI MOSFET中混合取向技术的深非晶化和固相外延再生工艺
机译:一种双埋层技术,用于制造与1.5微米外延双极工艺兼容的高压NPN器件
机译:使用硅的合并外延横向过生长的IC兼容微机械传感器的处理技术。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:基于重掺杂外延的中红外等离子体平台 Ge-on-si:检索薄Ge外延层的光学常数
机译:用于不同外延的兼容基板技术
机译:高压bcd工艺中高压装置的隔离结构及其制造方法
机译:高压BCD工艺中高压装置的隔离结构及其制造方法
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