机译:具有高能量注入埋层的高压MOS器件-低压CMOS工艺可与高压MOS器件媲美
机译:具有高能量注入埋层的高压MOS器件-低压CMOS工艺可与高压MOS器件媲美
机译:具有高能植入埋层的高压MOS装置 - 低压CMOS工艺可比高压MOS装置
机译:在BiCMOS工艺中使用P / sup +/-埋层的高压NPN双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于HfO2 / SiTe的双阈值电压变化较小的双层选择器设备
机译:采用45GHz NpN和20GHz pNp器件的新型高性能互补双极技术。
机译:用于增加双极埋层集成电路器件对单事件扰乱的电阻的方法和装置