一种BCD工艺兼容技术研究

摘要

瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50;VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V;PMOS的BVDS到14V,阈值电压为-0.8V;NMOS的BVDS达到15V,阈值电压为1.2v。