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黎建明; 屠海令; 郑安生;
北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心;
GaAs; 断裂模数; 退火;
机译:高温退火对Ga_0.52In_0.48P / GaAs和Al_0.52In_0.48P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:高温退火对Ga↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs和Al↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:快速热退火对嵌入GaAs基光子晶体纳米腔中的自组装InAs量子点发光的影响
机译:热退火的p-GaAs / n-Si异质结的电学性质及其对GaAs-Si异质结双极晶体管的影响
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:退火对GaAs / GaAsSbN / GaAs核-多壳纳米线的影响
机译:退火对纳米晶体Crconi中熵合金的组织和力学性能的影响
机译:脉冲红宝石激光退火晶体和离子注入Gaas的光致发光
机译:评估加工程度和退火处理对钢板弯曲力学性能的影响方法。
机译:具有可控制的电阻率的大面积GaAs的晶体生长过程以及由此形成的具有EMI-EMP保护的红外窗口/圆顶
机译:GAAS衬底退火和GAAS半导体器件制造方法
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