GSMBE生长的高质量氮化镓材料

摘要

使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子浓度约为 3× 1 0 17cm- 3.