机译:GaAs(001)上高质量立方氮化镓的MBE生长和X射线研究
机译:缓冲层生长条件对GaAs(001)衬底上立方GaN薄膜中次级六方相含量的影响
机译:在具有相对薄的低温GaN缓冲层的GaAs(001)衬底上制备立方和六方GaN微晶
机译:用背面缓冲液通过卤化物VPE对(001)GaAs的高质量立方GaAs的生长
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:高质量100nm厚的INCB薄膜在GaAs(001)底板上,具有inxal1-xsb连续分级缓冲层