机译:缓冲层生长条件对GaAs(001)衬底上立方GaN薄膜中次级六方相含量的影响
Ⅲ-Ⅴ semiconductor MOCVD RHEED; XRDCD;
机译:在具有相对薄的低温GaN缓冲层的GaAs(001)衬底上制备立方和六方GaN微晶
机译:通过MOCVD在GaAs(001)上生长的立方GaN薄膜中六方相含量的退火行为
机译:金属有机气相外延法在(001)GaAs衬底上生长具有AlGaN / GaN超晶格下层的立方GaN外延层中的缺陷密度降低
机译:缓冲层生长温度对GaAs(001)基材上生长的立方GaN薄膜微结构的影响
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:用常规X射线极图和掠入射衍射极图测量GaN / GaAs(001)外延层中六角形夹杂物和立方孪晶的极性依赖性