Cubic GaN; Metal organic vapor phase epitaxy; Transmission electron microscopy;
机译:缓冲层生长条件对GaAs(001)衬底上立方GaN薄膜中次级六方相含量的影响
机译:在具有相对薄的低温GaN缓冲层的GaAs(001)衬底上制备立方和六方GaN微晶
机译:在具有InAs缓冲层的GaAs(001)衬底上InAsN膜的MOVPE生长
机译:缓冲层生长温度对GaAs(001)基材上生长的立方GaN薄膜微结构的影响
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:使用Ge缓冲层在(001)Gaas衬底上生长的晶体Fe膜的磁各向异性