脉冲激光沉积法生长Zn1—xMgxO薄膜

摘要

采用脉冲激光沉积法，生长出没有组分偏析，晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜（x=0.2）。研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响，发现最佳衬底温度为650℃左右。对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析，发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移。