AIN薄膜室温直接键合技术

摘要

采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足直接键合的需要，同时，采用智能剥离技术成功实现了室温下A1N注氢硅片的直接键合，形成了以A1N薄膜为埋层的SOI结构，即A1N上的硅结构（SOAN），用扩展电阻、卢瑟福总背散射－沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的SOAN结构。