GaAs／Si／AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响

摘要

用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到大调节量为0.2Ev;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MlSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。