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李永平;
曲阜师范大学物理系;
半导体; GaAs/AlAs异型异质结; 导带; 掺杂浓度; 尖峰位置; 耗尽区; 禁带宽度; pN结;
机译:具有连续导带结构的InGaP / AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的综合研究
机译:使用InP / GaAsSb异质结双极晶体管表征InAIAs / GaAsSb的导带边缘不连续性
机译:导带不连续零的InGaP / ALGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:ino.53gao.47AS / ALAS谐振隧道二极管的制造和性能超长GaAs / Algaas异质结双极晶体管
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:Al0.3Ga0.7As GaAs调制掺杂异质结的理论和实验电容电压行为-导带不连续性与施主能的关系
机译:alas / Gaas异质结中的价带偏移与带对准的经验关系。
机译:具有Al x Ga 1-x As--AlAs-- GaAs异质结的半导体器件
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:具有(In)(Al)GaAsSb / InGaAs基极-集电极结构的异质结双极晶体管
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