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李永平; 刘杰; 姜永超; 田强;
青岛农业大学理学院;
山东青岛266109;
北京师范大学物理系;
北京100875;
GaAs/AlAs异质结; Si夹层; X射线光电子谱测量; 深能级瞬态谱测量;
机译:GaAs / AlAs异质结处的Si和Be层内:掺杂效应
机译:体复合电流对GaAs-on-Si中GaAs / AlGaAs异质结双极晶体管电流增益的影响
机译:计算机型建模对双相GaAs / C-Si异质结串联太阳能电池影响的研究
机译:热退火的p-GaAs / n-Si异质结的电学性质及其对GaAs-Si异质结双极晶体管的影响
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:Si同质结,AlgaAs / GaAs异质结和Si / SiGe异质结双极晶体管的拟鸣区域
机译:alas-Gaas-alas异质结中空穴的共振隧穿
机译:具有Al x Ga 1-x As--AlAs-- GaAs异质结的半导体器件
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:Si衬底上的Si-GaP-Si异质结双极晶体管(HBT)
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