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常压化学气相沉积法制备二维六方氮化硼

         

摘要

采用常压化学气相沉积(APCVD)法制备二维六方氮化硼的基本方法,系统探究衬底抛光处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度等对六方氮化硼生长的影响,通过优化调控生长因子,成功制备出高质量单层六方氮化硼薄膜.

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