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常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法。在单根纳米线的一端头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-18

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 1/00 授权公告日:20100512 终止日期:20130424 申请日:20060424

专利权的终止
2010-05-12

授权

授权
2007-01-31

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-12-06

公开

公开

1. 常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法 [P] . 中国专利： CN1872662B . 2010.05.12
2. 常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米钉及其制备方法 [P] . 中国专利： CN100582043C . 2010.01.20
3. PREPARATION METHOD FOR EPITAXIAL ZINC OXIDE NANOWIRES AT ATMOSPHERIC PRESSURE AND ZINC OXIDE NANOWIRES SYNTHESIZED BY ATMOSPHERIC PRESSURE THERMAL EVAPORATION METHOD [P] . 韩国专利： KR20090014438A . 2009-02-11

机译：大气常压氧化锌纳米线的制备方法及常压热蒸发法合成氧化锌纳米线的制备方法
4. Fabrication Method of Metal Silicide Single Crystalline Nanowire and The Oriented Metal Silicide Single Crystalline Nanowire [P] . 韩国专利： KR101200864B1 . 2012-11-13

机译：金属硅化物单晶纳米线的制备方法及取向金属硅化物单晶纳米线
5. Atmospheric pressure chemical vapor deposition method for producing an-N-semiconductive metal sulfide thin layer [P] . 美国专利： US8609516B2 . 2013-12-17

机译：常压化学气相沉积法制备n-n-半导体金属硫化物薄层的方法