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严鼎; 孙伟锋; 祝靖; 李冬冬;
东南大学国家ASIC工程技术研究中心;
南京210096;
氮化镓; 栅极驱动; 功率集成电路; 封装集成技术;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:功率模糊:封装集成电路和功率器件的快速静态和瞬态热分析方法
机译:功率器件的芯片级封装及其在集成功率电子模块中的应用
机译:适用于大功率GaN器件和集成GaN驱动电路的高级SPICE模型
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:具有石墨烯透明电极和石墨烯有源矩阵驱动晶体管的GaN Micro-LED单片集成器件
机译:用于缩放多单元GaN HEMT功率器件的宽带集总封装建模
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:功率半导体开关器件,功率转换器,集成电路组件,集成电路,功率电流开关方法,形成功率半导体开关器件的方法,功率转换方法,功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法
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