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李金培; 杜刚; 刘力锋; 刘晓彦;
北京大学微电子学研究院;
北京100871;
InGaAs; 肖特基源漏MOSFET; 系综蒙特卡洛;
机译:使用改进的多子带蒙特卡洛模型仿真低肖特基势垒MOSFET
机译:带应变硅沟道的金属源极/漏极MOSFET的肖特基势垒高度降低和驱动电流改善
机译:在源极和漏极具有带偏移的MOSFET的蒙特卡洛仿真
机译:有效质量对超大规模双栅器件中的输运特性和直接源极至漏极隧穿的影响:二维多子带组合蒙特卡洛研究
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:InGaAs n-MOSFET的源/漏工程,用于逻辑器件应用
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:具有肖特基源极和漏极触点的MOSFET及其制造方法
机译:金属源极/漏极肖特基势垒无掺杂硅MOSFET器件
机译:使用硅化的肖特基势垒源极/漏极n-mosfet
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