机译:用于SRAM和逻辑应用的65nm CMOS器件中源/漏不对称性变化的机理和建模
机译:CoInGaAs作为用于无注入Ino.53Gao.47As n-MOSFET的新型自对准金属源/漏材料
机译:In_(0.7)Ga_(0.3)作为沟道n-MOSFET,具有自对准Ni-InGaAs源极和漏极
机译:新型自对准腔形成技术实现了具有Pd-InGaAs源极/漏极触点的超薄In0.7Ga0.3As空载N-MOSFET
机译:用于纳米级MOSFET应用的栅极和源极/漏极工程。
机译:逻辑设备应用中的自旋波互易性
机译:具有CMOS兼容的源/漏技术的InGaAs N-MOSFET和在Si平台上的集成
机译:绝缘体上硅n-mOsFET中的雪崩引起的漏源击穿