band structure; density functional theory; Monte Carlo methods; MOSFET; probability; semiconductor device models; silicon-on-insulator; tunnelling;
机译:FDSOI,DGSOI和FinFET器件中的源-漏隧穿分析,通过多子带集成Monte Carlo进行
机译:超小型FDSOI,DGSOI和FinFET器件中隧道泄漏机理的多子带集成蒙特卡罗分析
机译:二维MOSFET多子带集成Monte Carlo仿真器的优化和并行化
机译:有效质量对超纤维双栅极装置的运输性能和直接源排水隧穿的影响:2D多子带合奏蒙特卡罗研究
机译:砷化镓材料(模型)对砷化镓材料和器件中电子传输的理论研究。
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析
机译:小型半导体器件的物理和建模。 IV。集合蒙特卡罗技术中的广义,延迟传输。