band structure; density functional theory; Monte Carlo methods; MOSFET; probability; semiconductor device models; silicon-on-insulator; tunnelling;
机译:FDSOI,DGSOI和FinFET器件中的源-漏隧穿分析,通过多子带集成Monte Carlo进行
机译:超小型FDSOI,DGSOI和FinFET器件中隧道泄漏机理的多子带集成蒙特卡罗分析
机译:二维MOSFET多子带集成Monte Carlo仿真器的优化和并行化
机译:有效质量对超大规模双栅器件中的输运特性和直接源极至漏极隧穿的影响:二维多子带组合蒙特卡洛研究
机译:砷化镓材料(模型)对砷化镓材料和器件中电子传输的理论研究。
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析
机译:小型半导体器件的物理和建模。 IV。集合蒙特卡罗技术中的广义,延迟传输。