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机译:使用改进的多子带蒙特卡洛模型仿真低肖特基势垒MOSFET
School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
DIEGM, University of Udine, Udine 33100, Italy;
School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
DIEGM, University of Udine, Udine 33100, Italy;
School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
schottky barrier (SB); metallic source/drain; monte carlo (MC) method; MOSFETS;
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