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程成; 薛催岭; 宋仁国;
浙江工业大学,应用物理系,杭州310023;
浙江工业大学,机械制造及自动化教育部重点实验室,杭州,310014;
脉冲激光沉积(PLD); 锗; 纳米薄膜; 环境压强;
机译:HfCl_4和O_2在大气压下通过原子层沉积制备HfO_2纳米薄膜
机译:脉冲激光沉积技术制备的无铅Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3纳米薄膜电容器的铁电有序性和储能能力
机译:垂直靶脉冲激光沉积法制备的玻璃基板/ Ag纳米薄膜电极上聚苯胺-氧化石墨复合物的电化学和电致变色行为
机译:脉冲激光沉积制备有源Er〜(3+)掺杂铌锗锗铅平面波导
机译:两种不同类型的自组装单层的红外吸收研究:从水溶液中沉积的烷硫醇和使用金属上层衰减全反射率(ATR)和单反射锗衰减全反射率(GATR)的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的表面受限聚合。
机译:脉冲激光沉积LaNi5纳米薄膜的电导率和光学性质
机译:不同气体气氛对脉冲激光沉积$ Y_3 $(Al,Ga $)_ 5 $$ O_12 $:$ Ce ^ 3 + $纳米薄膜的结构,形态和光致发光性能的影响
机译:不同压制技术制备n型硅锗热电合金的比较
机译:含有锗衍生物的薄膜沉积组合物,使用该薄膜沉积组合物制备的含锗薄膜,以及使用该薄膜沉积组合物生产含锗薄膜的方法
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:研究在不同载荷和不同内压下的车轮轧制半径
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