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刘学杰; 魏怀; 任元; 陆峰; 张素慧; 银永杰;
内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头014010;
北京工业大学耿丹学院,北京101301;
第一性原理; CVD金刚石薄膜; 基团; 生长机理; 吸附演变;
机译:通过天线边缘等离子体辅助化学气相沉积(St. Elmo CVD)在Ir(001)/ MgO(001)衬底上生长异质外延金刚石薄膜
机译:MnN在GaAs(001)-(2×2)表面上外延生长的初始阶段:第一性原理研究
机译:Ge(001)表面上Au的外延生长:光电子能谱测量和第一性原理计算
机译:硅烷和三甲基硅烷作为Si 1·Yα的RP-CVD生长的前体,SI(001)上的rp-cvd生长
机译:硅(001)表面和图案化硅(001)表面上的锗纳米点的硅/锗异质结构的生长和表征。
机译:密度泛函理论的成核研究-Al2O3(001)表面上Ptn团簇的生长和生长
机译:钻石电影的特殊问题/沉积方法,表征和应用。通过热长丝CVD和电子辅助CVD形成的金刚石薄膜的生长。
机译:金刚石薄膜上碳纳米管生长的三种不同化学气相沉积(CVD)技术的比较研究。
机译:001-AlOLAYER的001-AlO CVD CVD涂层切割工具
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
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