首页> 中文期刊> 《光散射学报》 >小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征

小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征

         

摘要

本文详细地研究了原始生长和退火处理后的Si/Ge量子点的拉曼光谱.我们观测到了Si/Ge量子点的一系列本征的拉曼振动模以及Ge-Ge模的LO和TO声子峰间4.2cm-1的频率劈裂.通过这些参数, 我们自洽地确定了原始生长的平面直径为20nm和高为2nm的Si/Ge量子点内Ge的平均组分为80%,平均应变为-3.4%.分析清楚地表明了这种小尺寸的Si/Ge量子点内的应变仍遵从双轴应变,并且应变的释放主要由量子点和Si隔离层间Si-Ge原子互扩散决定.

著录项

  • 来源
    《光散射学报》 |2004年第3期|203-207|共5页
  • 作者单位

    半导体超晶格国家重点实验室,中科院半导体研究所,北京,100083;

    Walter Schottky Institut,Technische Universit(a)t München,D-85748,Garching,Germany;

    半导体超晶格国家重点实验室,中科院半导体研究所,北京,100083;

    半导体超晶格国家重点实验室,中科院半导体研究所,北京,100083;

    Walter Schottky Institut,Technische Universit(a)t München,D-85748,Garching,Germany;

    Walter Schottky Institut,Technische Universit(a)t München,D-85748,Garching,Germany;

    Walter Schottky Institut,Technische Universit(a)t München,D-85748,Garching,Germany;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 拉曼光谱分析法;
  • 关键词

    量子点; 拉曼光谱; 应变; 组分; Si-Ge原子互扩散;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号