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王中文; 刘少鹏; 卢雪梅;
辽宁大学物理学院;
VDMOSFET; 导通电阻; Mathematica软件;
机译:低压沟槽功率MOSFET的最小导通电阻的优化设计
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:室温电阻低的Sr_(0.6)Bi_(0.4)Fe_(0.6)Sn_(0.4)O_3-BaCo〜Ⅱ_(0.02)Co〜Ⅲ_(0.04)Bi_(0.94)O_3厚膜热敏电阻的微观结构和电性能
机译:具有较低导通电阻和反向传输电容的3.3kV 4H-SiC VDMOSFET的改进结构
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:基于声化学SrTi0.6Fe0.4O2.8(STFO40)的低功耗电阻式氧气传感器
机译:3.6基于CMOS电阻的温度传感器,10FJ·K2分辨率FOM和0.4°C(30)在1点修剪后的-55°C至125°C的0.4°C(30)不准确
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法以及半导体元件的导通电阻的测定装置
机译:半导体元件的导通电阻的测定方法及半导体元件的导通电阻的测定装置
机译:具有高导通电阻和低导通电阻的半导体组件及其制造方法
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