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3.6 A CMOS Resistor-Based Temperature Sensor with a 10fJ·K2 Resolution FoM and 0.4°C (30) Inaccuracy From −55°C to 125°C After a 1-point Trim

机译：3.6基于CMOS电阻的温度传感器，10FJ·K2分辨率FOM和0.4°C（30）在1点修剪后的-55°C至125°C的0.4°C（30）不准确

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作者
Sining Pan; Kofi A. A. Makinwa;
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年度 2020
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1. A Compact Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With an Inaccuracy of 0.12 °C (3$sigma$) and a Resolution FoM of 0.43 pJ$cdot$< [J] . Woojun Choi, Yongtae Lee, Seonhong Kim, Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2018,第12期

机译：精度为0.12°C的紧凑型基于电阻器的CMOS温度传感器（3 $ sigma $ ），解析度FoM为0.43 pJ $ cdot $ <
2. A 5800- μ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ( 3σ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS [J] . Yongtae Lee, Woojun Choi, Taewoong Kim, . 2019,第9期

机译：基于5800微米电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（3σ）的±1.2°C（3σ），在65-nm cmos中为105°C
3. A CMOS Temperature Sensor With a Voltage-Calibrated Inaccuracy of 0.15 C (3 ) From 55 C to 125 C [J] . Souri K., Chae Y., Makinwa K. A. A. Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2013,第1期

机译：电压校准误差为55 C至125 C的0.15 C（3）的CMOS温度传感器
4. 3.6 A CMOS Resistor-Based Temperature Sensor with a 10fJ·K2 Resolution FoM and 0.4°C (30) Inaccuracy From −55°C to 125°C After a 1-point Trim [C] . Sining Pan, Kofi A. A. Makinwa IEEE International Solid- State Circuits Conference . 2020

机译：3.6一种基于CMOS电阻器的温度传感器，具有10fJ·K2的分辨率FoM和经过1点修剪后在−55°C至125°C范围内具有0.4°C（30）的误差
5. A CMOS-Thyristor Based Temperature Sensor with +0.37 °C/−0.32 °C Inaccuracy [O] . Jing Li, Yuyu Lin, Siyuan Ye, 2020

机译：基于CMOS晶闸管的温度传感器具有+0.37°C / -0.32°C的误差
6. A Compact Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With an Inaccuracy of 0.12 °C (3 $sigma$ ) and a Resolution FoM of 0.43 pJ $cdot$ K $^{2}$ in 65-nm CMOS [O] . Woojun Choi, Yongtae Lee, Seonhong Kim, 2018

机译：基于紧凑的电阻式CMOS温度传感器，其不准确为0.12°C（3 $ Sigma $ ）和0.43 pj $ cdot $ k $ ^ {2} $ 65-nm cmos

3.6 A CMOS Resistor-Based Temperature Sensor with a 10fJ·K2 Resolution FoM and 0.4°C (30) Inaccuracy From −55°C to 125°C After a 1-point Trim

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