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用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱

     

摘要

提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D L T S测量描述了理论结果,所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热激电流谱和保留特性方法交叉研究的结果一致上述理论也可用于含有陷阱的其它介质 M I S 结构的 D L T S

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