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GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究

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摘要

本文报导了用XeCl激光器实现向半绝缘GaAs衬底掺Zn的实验结果,给出了Zn原子的纵向分布以及掺杂后方块电阻与激光脉冲次数的关系曲线,同时在相同衬底上采用气体源进行了掺Si实验研究.

著录项

来源
《吉林大学学报（理学版）》 |1993年第2期|77-78|共2页
作者
祝亚琴;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
准分子激光器; 掺杂; 砷化镓;

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