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徐玉忠; 唐发俊; 杨连生;
电子工业部第四十六研究所;
非掺SI-GaAs; 热处理工艺; 砷化镓; 单晶;
机译:AlGaAs缓冲层在Si衬底上生长掺锌GaAs / AlGaAs异质结构纳米线
机译:通过在非晶SiO2衬底和单晶GaSe薄片上热处理Zn薄膜获得的ZnO薄膜的光学特性
机译:掺氢和不掺氢的非晶SiC {sub} x N {sub} y薄膜的键合表征纳米压痕研究
机译:掺Yb的Y_2SiO_5薄膜和单晶的红外和拉曼比较研究
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:γ辐照下掺Si的GaAs的结构特征和光电性能
机译:掺Yb3 + / Er3 +的Gd2SiO5单晶的上转换发光研究
机译:掺镱Inp,Gaas和alGaas的选择性激发发光和光致发光研究。
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭生产的掺Si的GaAs单晶晶片
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