LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

摘要

采用高压LEC工艺生长 3inch掺SiGaAs单晶 ,掺杂浓度大于 1× 1 0 18 cm3,晶体位错密度小于 1× 1 0 4 cm2 。实验发现 ,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂 ,固液交界面处均会产生浮渣 ,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的 4倍以上。