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王雷; 张培亮; 刘静; 王志忠;
清华大学无线电系;
SiO2膜; 溅射; GaAs; GaAs/GaAs; Zn;
机译:Zn扩散引起的GaAs / AlGaAs多量子阱结构无序过程中III列空位和间隙的反应
机译:在GaAs(111)A衬底上的脊形三角形上生长的AlGaAs / GaAs多层膜的阴极发光研究。
机译:使用Ga掺杂的ZnO电流扩散层对GaAs / AlGaAs LED进行高频调制
机译:半绝缘,p掺杂和N掺杂GaAs / Algaas多层结构中的Zn扩散诱导的病症:比较研究
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:(110)GaAs / AlGaAs量子阱中的室温自旋扩散
机译:Zn从等温液相外延溶液扩散到GaAs和AlGaAs中
机译:Ga-as-Zn体系的研究及其在Gaas中Zn扩散的应用
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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