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自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应

     
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摘要

通过研究GaAs衬底上不同厚度InAs层光致发光的退火效应,发现它和应变量子阱结构退火效应相类似,InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强,量子点发光峰蓝移.量子点中或其附近一旦形成位错,其中的应变得到释放,互扩散现象就不明显了,退火倾向于产生更多的位锚,量子点的发光峰位置不变,但强度减弱.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|1997年第6期|455-458|共4页
  • 作者

    王志明; 吕振东; 封松林; 赵谦; 李树英; 吉秀江; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植;

  • 作者单位

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 热处理工艺;
  • 关键词

    量子点; 退火; 应变; 扩散; 位错;

  • 入库时间 2023-07-25 20:02:37

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