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陈益栋; 刘兴权; 李志锋; 陆卫; 沈学础;
中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外物理国家实验室,上海,200083;
远红外光谱; 拉曼散射光谱; 分子束外延; GaAs; SrTiO3;
机译:通过单晶Ni基材的氧化时间准备的外延NiO薄膜在外延NiO薄膜中进行导电丝纳米的导电原子力显微镜研究
机译:GaAs(100)单晶衬底上外延生长有bcc基 A i> 2结构的Co薄膜的结构表征
机译:使用面对靶溅射在Fe(001)晶种的GaAs(001)单晶晶片上外延高饱和磁化FeN薄膜
机译:在GaAs上外延生长的单晶GD_2O_3薄膜 - GaAs钝化的新电介质
机译:金属有机气相外延法制备和表征AlGaAs / GaAs超薄膜异质结构。
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:Gaas(001)上外延单晶超薄Fe \ u3csub \ u3e / u3c / sub \ u3esi薄膜的磁性
机译:蓝宝石分子束外延制备单晶V / Ce外延薄膜生长研究
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
机译:制备gaas材料的单晶层的方法和gaas材料的单晶层的外延生长的基质
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
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