SrTiO3

摘要： 工业级脉冲储能多层瓷介电容器(MLCC)是现阶段国内研制和生产电子启动装置的重要元器件,针对国内主要有机薄膜电容器尺寸大、寿命短、可靠性较低的不足,本研究采用传统固相反应法,制备了SrTiO_(3)和CaTiO_(3)基的脉冲储能介质陶瓷材料,研究了微量助烧剂掺杂,以及Sr^(2+)/Ca^(2+)相互掺杂对陶瓷材料的介电性能的影响,并进一步制备和研究了以(Sr,Ca)Ti O_(3)为基体MLCC性能。实验结果表明:通过加入质量分数1.0%的助烧剂,引入微量Bi^(3+)可取代Sr^(2+),提高了SrTiO_(3)材料的介电常数,而Bi^(3+)对CaTiO_(3)基材料的介电性能无明显影响;Mn元素有效抑制高温烧结中Ti^(4+)的还原,降低介电损耗;加入助烧剂有效降低瓷粉的烧结温度,提高材料的致密性。(Sr_(x)Ca_(1-x))TiO_(3)体系的MLCC可保持较高的介电常数和较低的介电损耗,当x=0.4时,其介电损耗tanδ=1.8×10^(–4),击穿强度为59.38 V/μm,高低温放电电流变化率为±7%,放电稳定,在常温和高温(125°C)下经1000次循环充放电实验均未失效,是一种在不同电场强度下具有相对较优的容量稳定性以及较高可靠性的脉冲特性(Sr,Ca)TiO_(3)基电容器陶瓷介质材料。

摘要： 本课题首先制备SrTiO3光催化剂,然后将SrTiO3采用以下三种方式载覆于纸张中制备光催化纸:(1)直接加填抄造法制备光催化纸;(2)配制成涂料后,采用涂布法制备光催化纸;(3)将光催化剂与纸浆纤维复合制备光催化复合纤维,再与纸浆纤维混合配抄光催化纸.检测和分析光催化剂在纸张中的留着效果及光催化纸对甲醛的降解效果,比较得出最优的光催化剂载覆方式.结果 表明:直接加填纸的留着率为64％,对甲醛的降解率为63.5％;涂布纸的留着率为96％,对甲醛的降解率为70.5％;光催化复合纤维纸的留着率为93％,对甲醛的降解率为73.4％.由此可见,光催化复合纤维配抄法为最佳的光催化剂载覆方式.

摘要： SrTiO3作为钛矿型金属氧化物半导体,具有环境友好、原料来源丰富等优点.本研究发现了一种制备高新热电性能SrTiO3材料的新工艺,对比固相反应法直接烧制的SrTiO3陶瓷,采用本工艺的PAS+埋烧热处理方法可以降低制备反应温度,并且所得材料的功率因子得到显著提高.该项发现主要研究了在此工艺下制备的不同La、Nb掺杂比(5％～15％)的样品性能变化情况.结果表明,该工艺下制备的SrTiO3样品中La15Nb15样品在873K时的最大功率因子可达1.279 mW·m-1·K-1.但是部分样品热导率也会出现一定程度的增加.综合效果是材料热电优值ZT得以提升,在873K时La10Nb5样品的ZT值达到了0.28.

摘要： 通过第一性原理计算采用GGA+U方法,研究了Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)(x=0,0.125,0.25)的晶体结构和电磁性质.计算结果表明:Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)稳定在立方钙钛矿结构,Ce掺杂导致Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)的晶格参数、晶胞体积、Ti-O键长都增大,但Ti-O-Ti键角减小;Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)在x=0时为非磁绝缘体,在0.125≤x≤0.25时为铁磁半金属.Ce掺杂导致Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)在x=0.125产生非磁绝缘体向铁磁半金属的转变;随着Ce掺杂量增加,Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)的金属性和铁磁性加强,很好解释了Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)在固体氧化物燃料电池上的应用.这些结果也意味着Sr_(1-x) Ce_(x) TiO_(3)在磁存储器件上具有潜在的应用前景.

摘要： 通过第一性原理计算采用GGA+U方法,研究了Sr1-xCexTiO3(x=0,0.125,0.25)的晶体结构和电磁性质.计算结果表明:Sr1-x Cex TiO3稳定在立方钙钛矿结构,Ce掺杂导致Sr1-x Cex TiO3的晶格参数、晶胞体积、Ti-O键长都增大,但Ti-O-Ti键角减小;Sr1-xCexTiO3在x=0时为非磁绝缘体,在0.125≤x≤0.25时为铁磁半金属.Ce掺杂导致Sr1-xCexTiO3在x=0.125产生非磁绝缘体向铁磁半金属的转变;随着Ce掺杂量增加,Sr1-x Cex TiO3的金属性和铁磁性加强,很好解释了Sr1-x Cex TiO3在固体氧化物燃料电池上的应用.这些结果也意味着Sr1-x Cex TiO3在磁存储器件上具有潜在的应用前景.

摘要： 探索位错等缺陷对于铁电材料畴结构、铁电性、电导率等其他物理属性的影响对于研究铁电薄膜材料的铁电及压电机理有着至关重要的作用,关于界面位错对铁电薄膜材料物理性质产生影响的现有研究结果也还存在争议,有待深入探究.本文采用球差矫正透射电镜(STEM)以及电子能量损失谱(EELS)研究了(010)晶面PbTiO3/SrTiO3异质界面上的周期性失配位错的原子结构及电荷分布.分析结果发现在a[001]位错核区域及其附近,可能存在着电子富集的现象,该现象可能会提高位错线上的电子电导率,该结果对于探究位错对铁电异质结体系物理性质的影响具有意义.

摘要： 采用溶胶凝胶法制备了Sr0.9 La0.1 TiO3前驱物粉体,将其与硬脂酸进行混合,制备陶瓷样品.硬脂酸混合前驱物粉体制备的陶瓷样品具有立方结构,属于Pm-3m空间群,与未混合样品相比较,塞贝克系数绝对值降低,电阻率提高.

摘要： 通过固相反应法以Ca^2+、Bi^3+取代Sr2+制备出Sr0.92-1.5xBixCa0.08TiO3(0.155≤x≤0.195)固溶体,同时加入固定量的MnCO3和ZnO作为改性剂和助烧剂,并通过XRD衍射仪、SEM扫描电镜和LCR分析仪对样品的结构和介电性能进行分析。结果表明,当x≥0.165时陶瓷样品中出现第二相;随着Bi^3+含量的增加,介电常数先增大,后减小,且介质损耗先减小后增大。当x=0.16时,得到介电常数ε=1153、介质损耗tgδ1KHz=3.5×10^-4、绝缘强度Eb=9.37 kV/mm的高介低损耗的高压电容器陶瓷介质材料。

摘要： 理论上, SrTiO3 (以下简称STO) 晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现, 金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明, 当电极/STO为非欧姆接触时, STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时, STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时, 通过调整烧制Ag电极的温度和时间, 当T=880°C, t=3. 5 h时, STO电容器的介电性能达到最佳, εr=22 850, tgδ=1. 0％.%Theoretically, dielectric constant of SrTiO3 (hereinafter referred as STO) grain boundary layer capacitor depends on the grain size, conductivity, thickness and dielectric constant of the grain boundary insulating layer (GBIL). However, in this work, it was found that the electrical property of the contact between metallic electrode and the surface of STO ceramics had a great influence on the capacitance and dielectric properties of STO GBIL capacitor in reality. The experiment result shows that the capacitance and dielectric constant is small for STO ceramic capacitor when the contact of electrode/STO is non-ohmic while it becomes much larger when the contact is ohmic type. The dielectric performance of STO GBIL capacitor can reach at a best value of εr= 22 850 and tgδ = 1. 0％ by adjusting the making the Ag electrode as at a temperature of T = 880 °C and time t = 3. 5 h by using slurry Ag material.

摘要： 本文简述了SrTiO3基压敏电阻的研究背景，详细介绍了SrTiO3基压敏电阻的电容-压敏双功能特性，探讨了SrTiO3基压敏电阻器高压化(压敏电压从几十伏致几百伏之间)的制备工艺、应用领域和研究进展，展望了SrTiO3环形压敏电阻器的小型化发展趋势。

摘要： 本文简述了SrTiO3基压敏电阻的研究背景，详细介绍了SrTiO3基压敏电阻的电容-压敏双功能特性，探讨了SrTiO3基压敏电阻器高压化(压敏电压从几十伏致几百伏之间)的制备工艺、应用领域和研究进展，展望了SrTiO3环形压敏电阻器的小型化发展趋势。

摘要： 本文简述了SrTiO3基压敏电阻的研究背景，详细介绍了SrTiO3基压敏电阻的电容-压敏双功能特性，探讨了SrTiO3基压敏电阻器高压化(压敏电压从几十伏致几百伏之间)的制备工艺、应用领域和研究进展，展望了SrTiO3环形压敏电阻器的小型化发展趋势。

摘要： 在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和TiO,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTiO3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和TiO后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.

摘要： 在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和TiO,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTiO3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和TiO后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.

摘要： 在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和TiO,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTiO3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和TiO后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.

摘要： 在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和TiO,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTiO3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和TiO后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.

摘要： 在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和TiO,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTiO3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和TiO后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.

摘要： 分散剂是一种表面活性剂.本文主要介绍了分散剂的作用机理,试验并讨论了分散剂在钛酸锶浆料中的分散作用,并重点分析了两种分散剂配合使用的作用效果,得出结论:使用复合分散剂,可避免浆料出现二次团聚.

摘要： 分散剂是一种表面活性剂.本文主要介绍了分散剂的作用机理,试验并讨论了分散剂在钛酸锶浆料中的分散作用,并重点分析了两种分散剂配合使用的作用效果,得出结论:使用复合分散剂,可避免浆料出现二次团聚.

摘要： 本发明属于无机非金属材料领域，具体涉及一种SrTiO3多面体的制备方法。本发明以氢氧化锶和二氧化钛为原料，氯化钠和碳酸氢钠为熔盐。包括如下步骤：(1)将氢氧化锶和二氧化钛原料与氯化钠和碳酸氢钠复合熔盐混合；(2)将得到的混料进行湿法研磨和干燥处理；(3)将得到的粉末颗粒在700～900°C下反应5～10h；(4)将所得产物洗涤、干燥，最终获得结晶度高、分散性良好、(001)和(110)晶面共同暴露的SrTiO3多面体粉体材料。本发明操作步骤简单、无其它副产物，可大批量制备，便于工业化生产。

摘要： 本发明涉及一种超高真空处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导薄膜的方法。该超高真空处理SrTiO3衬底的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；以及将该SrTiO3衬底加热至900°C以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。该制备FeSe超导薄膜的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；将该SrTiO3衬底加热至900°C以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上；将该真空室温度降到650°C～800°C，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO3衬底表面生长FeSe高温超导薄膜。

摘要： 本发明涉及一种纤维/碳纳米管/SrTiO3三维可循环高效催化材料及其制备和应用，多功能碳纳米管在纺织纤维表面构筑三维连续结构，其中多功能纳米管表面负载有纳米SrTiO3；制备：将纤维浸渍到含有碳纳米管复合SrTiO3和聚乙二醇2000分散液中，60‑80°C反应2‑4h，烘干，水洗，重复浸渍，烘干和水洗过程3‑5次，即得。本发明的成本低廉，制备方法简单，对设备的要求低，可操作性好；本发明的水处理剂可以去除水中高浓度有机污染物，适用于各种废水的深度处理，环保无二次污染，且具有抗菌、除臭、可以吸附其他重金属离子等优点。

摘要： 本发明公开了一种外切36面{110}晶面K离子掺杂SrTiO3纳米光催化剂及其制备方法，属于光催化纳米材料的形貌调控领域，本发明纳米光催化剂为暴露出36面{110}晶面的K离子掺杂SrTiO3，并担载RhCrOx作为析氢助催化剂，CoOOH为析氧助催化剂，K摩尔占比为1%~10%，助催化剂担载量为0.1wt%‑0.5wt%的不同的RhCrOx/K‑SrTiO3/CoOOH复合纳米光催化材料；所述催化剂具有特殊形貌，能实现在紫外—可见光下的光催化反应，在光催化反应中具有很好的催化活性和稳定性，且制备工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉。

摘要： 本发明公开了一种石墨烯‑SrTiO3材料及其制备方法，所述的石墨烯‑SrTiO3材料是利用溶液‑凝胶法制得溶胶前驱体，再用燃烧助剂反复燃烧前驱体制得。通过本发明可以一步获得石墨烯‑SrTiO3材料，不需单独制备石墨烯和SrTiO3再将其复合，制得的石墨烯‑SrTiO3材料具有出色的光催化能力，能作为一种新能源材料广泛应用于废热循环利用及航空航天材料中。

摘要： 本发明公开了一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法，所述绝缘骨架为Sr3Ti2O7，通过调节SrTiO3与Sr(NO3)2的摩尔比，采用液相包覆法制备Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合粉体，然后将复合粉体陶瓷半导化，得到不同介电常数和电阻值的介电陶瓷材料。该高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法通过包覆调节绝缘骨架的厚度可以调节SrTiO3介电常数和绝缘电阻率。

摘要： 本发明公开了一种SrTiO3/TiO2异质外延光催化剂及其制备方法与应用，包括如下步骤：采用硫酸氧钛和氢氟酸进行水热反应，制得微米级TiO2单晶；将所述微米级TiO2单晶分散于溶剂中，在惰性气氛中，与氢氧化锶、碱液、聚乙二醇和水进行水热反应，TiO2与氢氧化锶摩尔比为0.5‑2:0.5‑2，在微米级TiO2的{001}和/或{101}晶面生长SrTiO3介晶。SrTiO3/TiO2‑0.5h外延异质结是在TiO2{001}晶面拓扑外延生长SrTiO3介晶而成，其中，(1)SrTiO3和TiO2{001}晶面高度有序的外延界面可以减少异质结的界面缺陷，提高载流子寿命；(2)匹配的能带结构为高效载流子传输提供了额外的驱动力；(3)有序的介晶上部结构增加了活性位点，使相邻纳米颗粒之间的电荷转移成为可能。

摘要： 本发明属于纳米复合材料技术领域，公开了一种内嵌式SrTiO3/ZnIn2S4纳米复合结构材料的制备方法和应用。首先利用水热法合成SrTiO3纳米颗粒，然后将其分散到乙二醇中形成悬浊液，最后采用原位水热法制备出内嵌式SrTiO3/ZnIn2S4复合结构材料。本发明制备的SrTiO3/ZnIn2S4复合结构材料可应用于可见光下催化去除溶液中重金属Cr(VI)离子及在太阳光下光催化还原CO2制备CO燃料。本发明原料简单易得，制备工艺绿色简单，无二次污染，属于绿色合成方法。制备出的SrTiO3/ZnIn2S4纳米复合结构体系，不仅能有效拓宽的两种单体材料的光吸收范围，增强其捕获太阳光能力，而且两者匹配的带隙结构，从而形成II型异质结，加速界面光生电子的传输和分离，并有效抑制其重组，实现SrTiO3/ZnIn2S4复合结构体系光催化活性的提升。

摘要： 本发明提供了一种具有可持续光电导性质SrTiO3材料，还提供了一种制备具有可持续光电导性质SrTiO3材料的方法，制得的SrTiO3材料受到光照时可进入并保持在低阻态，对其加热可恢复至高阻态，其可在全氧化物新型光电信息转换功能元件中作为光电信息转换材料。本发明通过软化学还原方法在较低的温度下便可在SrTiO3晶体中引入氧空位和负价氢元素，从而在SrTiO3中形成光化学活性导电间隙态，既能大大降低反应温度，节约能源，又缩短了整个合成过程的时间，且最终获得的SrTiO3晶体材料具有可持续光电导性质，导电性均匀，时间保持性优异，具有更大的高低阻态开关比，促进了基于全氧化物新型光电信息转换功能元件的开发。

摘要： 本发明提供了一种纳米十八面体SrTiO