退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响

摘要

采用磁控溅射法制备了厚度为6.5 μm的Mn1.95 Co0.77Ni0.28O4组分的薄膜材料,把材料分别在400℃,500℃,600℃,700℃,800℃下进行后退火处理.结果表明,室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小, 而电阻率p295则是随退火温度增加逐渐减小的;在相同频率下,500℃退火样品的归一化噪声谱密度(SV·VR/V2)最小,700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷,从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声.