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甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究

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摘要

本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.

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来源
《华中理工大学学报》|1991年第2期|107-112|共6页
作者
王敬义; 王永兴;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类非晶态半导体;
关键词
非晶硅; 甲硅烷; APCVD; 淀积; 热扩散;

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