淀积

摘要： 长潭水库是一座以防洪、灌溉、供水为主,兼顾发电、养殖为一体的国家大(II)型水库,坐落在浙江黄金海岸线中部台州黄岩,保障着台州南片三区(椒江、黄岩、路桥)一市(温岭)一县(玉环)300万人口和数万家企业的生产生活用水任务,是国家一类水源保护地。长潭水库风光旖旎,风景如画,是天然的摄影创作基地。黄岩是著名的"中国蜜橘之乡",唐上元二年建县,至今已有1300多年历史,具有浓厚灿烂的历史文化淀积。全区总面积988平方公里,今为台州市主城区之一,是典型的江南水乡。2015年3月,由中共台州市黄岩区委、

摘要： 以亚热带的棕红壤为装柱材料,用pH3.5不同浓度（0-0.08mol/L）的铁、锰单一或混合溶液淋溶土柱40次,研究在干湿交替和不同淋溶方式（铁、锰同时淋溶或交替淋溶）条件下土壤中铁、锰元素的淋溶迁移特征.结果表明随着淋溶的进行,土柱淋出液的pH 逐渐降低,淋溶40次后淋出液的pH 低于淋溶液的pH,淋出液中铁、锰的含量与淋溶液的相近;淋溶后土壤中铁、锰含量最高的为游离态,其次为非晶质态,最低的为络合态;淋溶后,土柱中铁的淀积量大于锰的淀积量,除络合态铁、锰的含量比较接近外,游离态和非晶质态铁的淀积量都远高于相应形态锰的淀积量.铁、锰同时淋溶处理的土柱中铁的淀积量高于相应交替淋溶的淀积量,而锰的淀积量则为交替淋溶处理的高于同时淋溶的淀积量,且在交替淋溶条件下,淋溶液中锰的浓度越高,土壤中铁的淀积量越大.交换性K^＋ 、Na^＋ 、Ca^2＋ 、Mg^2＋ 随着铁、锰淋溶的进行而淋失,其中Ca^2＋ 、Mg^2＋ 的流失量较大.

摘要： 2015年5月24日下午4：30陕西师范大学赵景波教授应邀在我校科学会堂A座二楼报告厅作了题为《淀积理论与黄土高原气候变化研究进展》的学术报告.赵景波为陕西师范大学教授,现兼任联合国教科文组织国际岩溶研究中心学术委员会委员、陕西省灾害监测与模拟重点实验室学术委员会副主任.

摘要： Poly depositing, etching back and cleaning are very important in the manufacturing process of trench VDMOS, these processes will impact on the electric parameter of device, such asVth,Igss etc. The gap in the poly can be avoided by way of controlling the poly deposition rate and furnace cleaning frequency. By the way of controlling the polymer in the etching back process, the poly residue can be removed, and by using a kind of solvent without water in the cleaning process, the defect such as water mark can be avoided.%Trench VDMOS的制造流程中，要进行多晶的淀积、回蚀、清洗，其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数，诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中，要重点控制沉积速率、炉管清洁周期，防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序，要重点控制刻蚀反应物，防止造成多晶残留。清洗工序，通过选择不含水分的溶剂，避免大量水痕缺陷的产生。

摘要： 以石英砂为装柱材料，用不同浓度的铁锰单一或混合溶液淋溶石英砂柱40次，研究淋溶液的pH（pH5，pH3．5），铁锰物质的量比（1：1，2：1，4：1）和淋溶方式（铁锰同时淋溶或交替淋溶）等因素对石英砂柱中铁锰淀积和运移的影响。结果表明：i）不同淋溶方式的处理间铁锰形态分布存在显著差异。随淋溶次数的增加，铁锰同时淋溶的砂柱内，各形态的铁锰淀积量逐渐增加，而铁锰交替淋溶砂柱内的铁锰含量随淋溶阶段而变化；2）相同淋溶方式，不同铁锰物质的量比处理的砂柱间铁锰淀积量差异显著，淋溶液锰浓度高的处理其游离锰、非晶锰的淀积量较大；3）相同铁锰物质的量比，铁锰同时淋溶处理的游离铁锰和非晶质铁的淀积量高于相应交替淋溶的，而非晶质锰的反之；4）pH3．5淋溶处理的砂柱中，铁锰淀积量总体高于pH5的，以下层（25cm）的含量最高，铁锰具有向下运移的规律，但在pH5淋溶处理的砂柱中该现象不明显；5）石英砂表面淀积的游离和非晶质铁锰随着淋溶的进行总体呈现增加的趋势，前期淀积的游离铁锰对后阶段游离铁锰的形成有促进作用，游离铁与非晶质铁的淀积量呈正相关。

摘要： 以石英砂为装柱材料,用不同浓度的铁锰单一或混合溶液淋溶石英砂柱40次,研究淋溶液的pH(pH 5,pH 3.5),铁锰物质的量比(1∶1,2∶1,4∶1)和淋溶方式(铁锰同时淋溶或交替淋溶)等因素对石英砂柱中铁锰淀积和运移的影响.结果表明:1)不同淋溶方式的处理间铁锰形态分布存在显著差异.随淋溶次数的增加,铁锰同时淋溶的砂柱内,各形态的铁锰淀积量逐渐增加,而铁锰交替淋溶砂柱内的铁锰含量随淋溶阶段而变化;2)相同淋溶方式,不同铁锰物质的量比处理的砂柱间铁锰淀积量差异显著,淋溶液锰浓度高的处理其游离锰、非晶锰的淀积量较大;3)相同铁锰物质的量比,铁锰同时淋溶处理的游离铁锰和非晶质铁的淀积量高于相应交替淋溶的,而非晶质锰的反之;4)pH3.5淋溶处理的砂柱中,铁锰淀积量总体高于pH 5的,以下层(25 cm)的含量最高,铁锰具有向下运移的规律,但在pH 5淋溶处理的砂柱中该现象不明显;5)石英砂表面淀积的游离和非晶质铁锰随着淋溶的进行总体呈现增加的趋势,前期淀积的游离铁锰对后阶段游离铁锰的形成有促进作用,游离铁与非晶质铁的淀积量呈正相关.

摘要： 以亚热带的棕红壤和黄棕壤为装柱材料,用铁锰混合溶液(0～0.04 mol· L-1)淋溶土柱,研究铁锰在土壤中的淀积特征,并用等温吸附法研究其对Pb2+、Cd2+的吸附规律.结果表明:土柱淋溶后,各处理中棕红壤淀积的锰含量比黄棕壤的低0.24～1.17 mg·g-1,各处理土壤表面淀积的游离铁和非晶质铁的含量均显著高于锰氧化物.经铁锰溶液淋溶而形成的土壤样品对pb2+、Cd2+的最大吸附量比未淋溶的土壤高,最大增加量可达33.07 mmol· kg-1,可见铁锰淀积能显著提高土壤对Pb2+、Cd2+的吸附能力.土柱上层(装柱5cm处)土壤样品对pb2+、Cd2+的最大吸附量大于土柱下层(装柱25 cm处)样品,最大差值可达到16.22 mmol·kg-1.两种土壤对pb2+的吸附量是对Cd2+的8～15倍.

摘要： 当今社会已进入信息技术时代,集成电路已经被广泛应用于各个领域,典型的集成电路制造过程可表示如下:在此,我们重点是讨论集成电路芯片加工过程中的一些关键手艺.集成电路基本工艺包括基片外延生长、掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成.

摘要： 本文通过对离子束溅射淀积薄膜的工艺参数的分析,和实验所得出的经验,对指导离子束蚀刻镀膜操作人员在该类设备上制作出优良的薄膜具有一定的参考实用价值.

摘要： 研究了ＰＥＣＶＤ设备，并用此设备进行了ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉淀积工艺研究，取得了大面积均匀性≤±１℅的结果，除此之外还对ＰＥＣＶＤ的其它应用进行了初步探索。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。

摘要： 本发明提供一种用于将升华的源材料气相淀积为基板上的薄膜的设备。该设备包括：容器，其配置成保持源材料；分配板，其定位于容器上方。分配板限定穿过它的通路图案。该设备还包括输送器，输送器配置成以连续环路行进使得转移表面在第一方向在分配板上方传递以在其上接收穿过分配板的通路的升华的源材料。输送器也配置成当在凸起边缘上运载基板时在第二方向上行进。在输送器在第二方向上行进以将源材料从转移表面转移到基板时，加热系统加热输送器。提供一种用于气相淀积升华源材料以形成薄膜的过程。

摘要： 本发明涉及一种淀积物剥离量推断装置，其在具备燃料喷射阀（22）的内燃机（10）中，通过计算堆积在喷孔入口区域内的燃烧产物中剥离的燃烧产物的量即入口淀积物剥离量、和堆积在喷孔出口区域内的燃烧产物中剥离的燃烧产物的量即出口淀积物剥离量，从而对入口淀积物剥离量和出口淀积物剥离量进行推断。在本发明中，根据堆积在喷孔入口区域内的燃烧产物的量、即入口淀积物堆积量来计算入口淀积物剥离量，并根据堆积在喷孔出口区域内的燃烧产物的量、即出口淀积物堆积量来计算出口淀积物剥离量。

摘要： 本发明涉及由反应气体混合物在工件上淀积层膜的化学气相淀积反应器，包括：长条形竖立的反应室(10)，它由反应器壁板(11)和反应器底板(12)界定；用于使反应气体流入反应室(10)的进气管(34)，该进气管在该反应器底板(12)的区域内通入反应室(10)；用于使耗用反应气体从反应室(10)流出的固定不动的排气管(31)，该排气管在反应器底板区域内伸出该反应室(10)；层状的工件支座(21)，它居中设置在反应室(10)中并能绕其中心轴线转动。

摘要： 本发明涉及淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。本发明公开了一种能够提高淀积效率的淀积掩模和具有该淀积掩模的掩模组件。所述淀积掩模的两端具有尖的截面，使得当淀积掩模连续地平行布置时，相邻淀积掩模的至少一部分在所述相邻淀积掩模之间的边界处彼此交叠。

摘要： 本发明提供了一种有机材料淀积系统和方法。有机材料淀积设备可包括内部形成有处理空间的腔室和供给源装置，该供给源装置生成有机源并通过设于所述处理空间中的喷淋头将所述有机源注入并扩散进所述处理空间中。所述衬底由载台装置支撑，该载台装置在所述处理空间中向上和向下移动该衬底以调整所述衬底与所述喷淋头之间的距离。抽取口设于所述处理空间的上部的上端，提供将气流经所述处理空间导向所述载台装置的真空排气路径。这使得厚度均匀的有机薄膜能够利用构造较为简单的设备进行淀积。

摘要： 本发明涉及一种流发生器(2a，2b)，包括：用于供应电解液(7)的电解液供应设备(12)；电解液分配设备(13)。本发明还涉及包括所述流发生器(2a，2b)的一种淀积装置(1、33、35)以及一种将材料淀积到物体(4)的表面(28)上的方法。

摘要： 本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度。

摘要： 本发明涉及化学气相淀积设备和化学气相淀积法中清洗履带的方法。本发明的化学气相淀积设备包括：腔体；将处理气体供给所述腔体的进气装置；将处理后的气体导出所述腔体的排气装置；移动载置被处理圆片的履带；用于对所述履带上的被处理圆片进行加热的加热块；对所述履带表面喷淋气化腐蚀液的喷淋装置；利用超声波对所述履带表面进行清洗的超声波清洗装置；以及对所述履带表面进行烘干的烘干装置。根据本发明，能够有效地清除履带上积累的SiO2，能够解决圆片表面颗粒问题，提高了圆片表面质量，而且还能够提高化学气相淀积设备的使用效率。

摘要： 用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径，而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。

摘要： 本发明提供一种用于将升华的源材料气相淀积为基板上的薄膜的设备。该设备包括：容器，其配置成保持源材料；分配板，其定位于容器上方。分配板限定穿过它的通路图案。该设备还包括输送器，输送器配置成以连续环路行进使得转移表面在第一方向在分配板上方传递以在其上接收穿过分配板的通路的升华的源材料。输送器也配置成当在凸起边缘上运载基板时在第二方向上行进。在输送器在第二方向上行进以将源材料从转移表面转移到基板时，加热系统加热输送器。提供一种用于气相淀积升华源材料以形成薄膜的过程。