重新氧化氮化n-MOSFET's断态栅电流的温度特性

摘要

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 的断态栅电流Ｉｇ 的温度特性进行了实验研究和理论分析．研究表明，在合适的氮化和重新氧化条件下，Ｉｇ 随温度增加可保持几乎不变．这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低，从而使得在升高的温度下，热空穴注入的增加几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小．